AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
MRF5S21090HR3 MRF5S21090HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
42
45
57
30
55
53
51
P1dB = 50.47 dBm (111.4 W)
49
47
32 34 36 38 40
Figure 3. 2--Carrier W--CDMA Broadband Performance
Figure 4. Two--Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 5. 3rd Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
Figure 7. Pulse CW Output Power versus
Input Power
100
12
17
1
1000 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
G
ps
, POWER GAIN (dB)
VDD
= 28 Vdc f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurement, 10 MHz Tone Spacing= 1200 mA
450 mA
850 mA
650 mA
15
14
13
10
16
-- 4 5
-- 1 5
1
IDQ
= 450 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
850 mA
1200 mA
650 mA
1000 mA
10
-- 2 0
-- 2 5
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 0
100
VDD
=28Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two--Tone Measurement, 10 MHz Tone Spacing
-- 5 0
10
-- 6 0
-- 2 0
0.1
7th Order
TWO--TONE SPACING (MHz)
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD,
VDD
=28Vdc,Pout
= 90 W (PEP), IDQ
= 850 mA
Two--Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
5th Order
3rd Order
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 0
-- 4 5
-- 5 0
-- 5 5
1
-- 2 5
P3dB = 51.17 dBm (130.9 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 850 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1 msec(off)
f = 2140 MHz
Actual
Ideal
ηD
IRL
Gps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
IM3 (dBc), ACPR (dBc)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
-- 3 0
-- 1 0
-- 1 5
-- 2 0
-- 2 5
INPUT RETURN LOSS (dB)
IRL,
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
5
13
12
11
10
9
8
7
6
-- 4 5
30
25
20
-- 2 0
-- 2 5
-- 3 0
-- 3 5
-- 4 0
40
35
15
14
-- 3 5
VDD=28Vdc,Pout
=19W(Avg.),IDQ
= 850 mA
2--Carrier W--CDMA, 10 MHz Carrier Spacing
3.84 MHz Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability(CCDF)
IDQ
η
D
, DRAIN
EFFICIENCY (%)
INTERMODULATION D
ISTORTION (dBc)
IMD,THIRD ORDER
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